泰研半导体亮相中国国际半导体封测大会，深入探讨Sputter与Plasma Etch在先进封装的应用

发表时间：2023-04-04 11:00作者：泰研半导体

「2023年3月21日，中国国际半导体封测大会在上海隆重举行。众多业界领袖、专家和生产厂商汇聚一堂，共同探讨半导体封测的发展趋势。泰研半导体副总方铭国先生在大会上发表了题为《Sputter与Plasma Etch设备在先进封装的应用》的主题演讲，分享了公司在先进封装技术领域的复合工艺应用与优势。」

泰研半导体致力于半导体先进封装领域专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司自主研发的设备包括激光 (Laser)、等离子体(Plasma)、溅镀 (Sputter) 三大类设备系列，广泛应用于系统级封装(SiP)、扇出型封装(Fanout)、小芯片封装 (Chiplet) 、2.5D封装、3D封装等先进封装领域。此次演讲重点探讨了连续式溅镀设备与等离子刻蚀设备的应用。

Plasma Etch
泰研半导体的Plasma Etch技术是半导体先进封装的关键工艺制程，具有高精度、高效率和高兼容性的特点，适用于多种材料和基板的刻蚀，如PP、ABF、PMMA和Epoxy等。

Sputter in SiP EMI

EMI可以防止电磁干扰或射频干扰对敏感电子器件的冲击,这是通过使用金属屏来吸收通过空气传播的电磁干扰来实现的。泰研半导体的Sputter技术在SiP EMI应用中可实现低温溅镀，具有高附着力、高Cathode使用率和优越的侧面覆盖率，为射频组件和天线等复杂器件的制作提供显著价值。

Sputter in BSM

晶圆背面金属化（BSM）工艺工艺在降低功率半导体器件的热阻方面具有重要意义。泰研半导体的Sputter设备能够在晶圆背面依次形成Ti、Ni、Ag/Au等金属层，实现高效率、低成本的晶圆背面金属化。

Sputter & Plasma Etch in RDL

在RDL应用中，泰研半导体的Sputter与Plasma Etch技术可实现高效率、高精度的金属化过程。首先，Sputter技术用于形成Ti/Cu金属层，然后通过Plasma Etch技术刻蚀导线，以实现高密度的互连。

Sputter & Plasma Etch

in Package/FO-POP

泰研半导体的Sputter与Plasma Etch技术在Package/FO-POP应用中具有显著优势。我们的Sputter设备可以实现高镀膜均匀性、连续式高产能以及高孔洞/侧壁覆盖率、制程温度低于99°C。Plasma Etcher可以实现高刻蚀产能，适用于多种材料，如PID、PR、DR等。此外，我们还提供高性能的热管理解决方案，包括优秀的薄膜附着力和极低的热阻。

随着半导体技术的不断发展，市场对先进封装技术的需求日益旺盛。面对这一挑战与机遇，泰研半导体秉持创新精神，坚持品质至上，努力开拓新的技术领域，为全球半导体产业的繁荣发展贡献力量。泰研半导体期待与广大客户携手共进，共创美好未来！

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